Tính chất nhiệt điện là gì? Các bài báo nghiên cứu khoa học

Định nghĩa và khái niệm cơ bản

Tính chất nhiệt điện là khả năng chuyển đổi năng lượng nhiệt thành điện năng và ngược lại, thông qua chuyển động có hướng của các hạt tải điện (electron hoặc lỗ trống) dưới tác động của chênh lệch nhiệt độ. Khi một đầu vật liệu được đốt nóng và đầu kia làm mát, các electron ở vùng nhiệt độ cao sẽ di chuyển về vùng nhiệt độ thấp, tạo ra hiệu điện thế mở mạch. Ngược lại, khi cấp điện áp lên hai đầu vật liệu, dòng điện chạy qua sẽ mang theo năng lượng nhiệt, gây hấp thụ nhiệt ở một mối nối và tỏa nhiệt ở mối nối còn lại.

Ba hiệu ứng cơ bản cấu thành tính chất nhiệt điện gồm Seebeck, Peltier và Thomson. Hiệu ứng Seebeck mô tả khả năng phát điện khi có ΔT; hiệu ứng Peltier là hiện tượng làm lạnh hoặc tỏa nhiệt khi có dòng điện chạy qua mối nối; hiệu ứng Thomson đề cập đến sự tỏa hoặc hấp thụ nhiệt dọc theo dây dẫn khi tồn tại đồng thời dòng điện và gradient nhiệt độ. Cả ba hiệu ứng đều tuân theo nguyên lý bảo toàn năng lượng và liên quan mật thiết qua mối quan hệ Kelvin.

Ứng dụng thực tiễn của tính chất nhiệt điện rất đa dạng. Thiết bị phát điện nhiệt điện (TEG – Thermoelectric Generator) tận dụng nhiệt thải từ động cơ ô tô, lò hơi, ống xả công nghiệp để sinh ra điện, cải thiện hiệu suất hệ thống. Trong các thiết bị làm lạnh Peltier, mô-đun bán dẫn Peltier được dùng để điều chỉnh nhiệt độ linh kiện điện tử, tủ lạnh di động, hoặc điều hòa không khí nhỏ gọn, với ưu điểm không có bộ phận chuyển động và không dùng môi chất lạnh gây ô nhiễm.

• Phát điện từ chênh lệch nhiệt độ của nguồn thải công nghiệp, hệ thống khí thải.
• Làm lạnh không dùng máy nén trong ứng dụng y sinh, viễn thông.
• Điều khiển nhiệt độ chính xác cho cảm biến, vi mạch.
• Thu hồi năng lượng trong điều kiện di động: vệ tinh, tàu thám hiểm.

Ứng dụng	Mô tả	Ưu điểm
TEG công nghiệp	Thu hồi nhiệt thải động cơ, ống xả	Tự vận hành, ít bảo trì
Làm lạnh Peltier	Điều khiển nhiệt độ thiết bị điện tử	Không tiếng ồn, chính xác
Thiết bị di động	Nguồn điện cho vệ tinh, robot	Không cần pin, hoạt động lâu dài

Nguyên lý hiệu ứng Seebeck, Peltier và Thomson

Hiệu ứng Seebeck phát sinh khi hai chất dẫn điện khác nhau được kết hợp thành vòng kín và đặt hai mối nối ở nhiệt độ khác nhau. Điện áp sinh ra tỷ lệ với chênh lệch nhiệt độ ΔT, theo công thức $ΔV = S·ΔT$ với S là hệ số Seebeck tổng hợp của hai vật liệu. Trong mạch kín, điện áp này gây ra dòng điện nếu mạch được đóng.

Hiệu ứng Peltier là hiện tượng ngược lại: khi dòng điện I chạy qua mối nối giữa hai vật liệu, phần mối nối đó sẽ hấp thụ hoặc tỏa nhiệt, theo định luật $P = Π·I$ với Π là hệ số Peltier. Nhiệt lượng P dương (tỏa nhiệt) hay âm (hấp thụ nhiệt) tùy chiều dòng điện.

Hiệu ứng Thomson mô tả quá trình tỏa hoặc hấp thụ nhiệt tại bất kỳ điểm nào dọc theo vật liệu dẫn, khi có cùng lúc gradient nhiệt độ dT/dx và dòng điện I. Nhiệt lượng sinh ra mỗi đơn vị chiều dài là $q̇ = μ·I·\frac{dT}{dx}$ với μ là hệ số Thomson. Mặc dù nhỏ hơn Seebeck và Peltier, hiệu ứng Thomson quan trọng trong thiết kế chi tiết các module nhiệt điện dài hoặc có gradient nhiệt lớn.

Hiệu ứng	Công thức	Ý nghĩa
Seebeck	ΔV = S·ΔT	Phát điện từ chênh nhiệt
Peltier	P = Π·I	Làm lạnh/tỏa nhiệt mối nối
Thomson	q̇ = μ·I·(dT/dx)	Tỏa/hấp nhiệt dọc dây dẫn

Hệ số Seebeck

Hệ số Seebeck S đo khả năng sinh điện áp trên mỗi độ chênh nhiệt, đơn vị V·K⁻¹. Giá trị S thường từ vài μV·K⁻¹ ở kim loại đến hàng trăm μV·K⁻¹ ở bán dẫn hẹp khe cấm. S biểu diễn mối liên hệ giữa gradient hóa học và gradient nhiệt động trong khung Boltzmann.

Phụ thuộc vào cấu trúc băng dẫn và mức độ pha tạp, S có thể tăng khi nồng độ tải điện giảm, nhưng đồng thời độ dẫn điện σ sẽ giảm. Do đó, điều chỉnh nồng độ tạp chất là phương pháp chính để tối ưu S cùng với σ. Ở nhiệt độ cao, S có xu hướng giảm do tăng phân tán phonon và gia tăng dẫn nhiệt electron.

• S tăng khi độ rộng khe cấm hẹp và effective mass lớn.
• Điều chỉnh doping: giảm n tăng S nhưng hạ σ.
• Nhiệt độ hoạt động: S giảm nhẹ khi T tăng.
• Các hợp chất Bi₂Te₃ và PbTe đạt S ≈ 200–250 μV·K⁻¹ ở 300–500 K.

Độ dẫn điện và dẫn nhiệt

Độ dẫn điện σ (S·m⁻¹) phản ánh khả năng dẫn dòng của electron hoặc lỗ trống. Vật liệu nhiệt điện lý tưởng cần σ cao để giảm tổn hao Joule, thường đạt 10⁴–10⁵ S·m⁻¹. Tuy nhiên, σ cao thường gắn liền với độ dẫn nhiệt electron κ_e cao, làm giảm hiệu suất.

Độ dẫn nhiệt κ (W·m⁻¹·K⁻¹) gồm hai thành phần: κ_e do điện tử và κ_ph do dao động mạng tinh thể (phonon). Tổng κ = κ_e + κ_ph. Hiệu suất nhiệt điện tối ưu khi κ thấp (≈1 W·m⁻¹·K⁻¹), giữ được chênh lệch nhiệt độ giữa hai đầu.

Vật liệu	σ (S·m⁻¹)	κ (W·m⁻¹·K⁻¹)	S (μV·K⁻¹)
Bi₂Te₃	1×105	1.5	230
PbTe	5×104	2.0	200
Ca₃Co₄O₉	8×103	0.8	150

Chỉ số figure of merit ZT

Chỉ số figure of merit ZT là thước đo hiệu năng tổng hợp của vật liệu nhiệt điện, xác định bởi công thức $ZT = \frac{S^2 \sigma T}{\kappa}$ trong đó S là hệ số Seebeck, σ độ dẫn điện, T nhiệt độ tuyệt đối và κ độ dẫn nhiệt. ZT càng cao thể hiện vật liệu càng hiệu quả trong chuyển đổi nhiệt điện.

Giá trị ZT >1 được xem là khả thi cho ứng dụng thương mại, trong khi các vật liệu tiên tiến hướng tới ZT = 2–3 ở nhiệt độ phòng và ZT >1,5 ở nhiệt độ cao (500–800 K). Cải thiện ZT thường đạt được bằng cách đồng thời tăng S^2σ (thành phần gọi là power factor) và giảm κ, đặc biệt là κ_ph do phonon mang.

• Tăng power factor: tối ưu doping, cấu trúc nano để tăng hiệu ứng định hướng electron.
• Giảm κ: tạo ranh giới hạt mịn, siêu mạng (superlattice), nhúng hạt nano để tán xạ phonon.

Nhiệt độ (K)	Vật liệu	ZT điển hình
300	Bi₂Te₃	1.0–1.2
500	PbTe (p-type)	1.5–1.8
800	SiGe alloys	1.0–1.3

Vật liệu nhiệt điện

Ngành nhiệt điện hiện ưu tiên hai nhóm chính: chalcogenides (Bi₂Te₃, PbTe) cho nhiệt độ thấp – trung bình (300–600 K) và silicide/SiGe cho nhiệt độ cao (700–1000 K). Chalcogenides đạt ZT cao ở nhiệt độ phòng nhờ cấu trúc lớp linh hoạt và effective mass lớn.

Các vật liệu mới như half-Heusler (TiNiSn-based), skutterudite (CoSb₃-based) và oxit Ca₃Co₄O₉ được nghiên cứu để kết hợp tính ổn định nhiệt và môi trường. Oxit bền ở nhiệt độ rất cao và chịu môi trường oxy hóa, phù hợp ứng dụng thu hồi nhiệt thải công nghiệp.

• Bi₂Te₃, Sb₂Te₃: ZT ≈1–1,2 ở 300 K, ứng dụng làm lạnh Peltier.
• PbTe, PbSe: ZT ≈1,5–2 ở 500 K, phổ biến trong TEG ô tô.
• SiGe alloys: ZT ≈1,3 ở 800 K, dùng cho vệ tinh và không gian (NASA SP-511).
• Half-Heusler, skutterudites: ZT ≈1–1,5 ở 700–900 K, cân bằng hiệu suất và độ bền.

Phương pháp đo lường

Để đánh giá tính chất nhiệt điện, cần đo đồng thời S, σ và κ trên cùng mẫu. Thiết lập mạch Seebeck với cặp nhiệt điện và bộ chuyển đổi điện áp độ nhạy cao cho S. Độ dẫn điện σ đo bằng phương pháp bốn điểm probe, loại trừ trở kháng tiếp xúc.

Độ dẫn nhiệt κ đo theo hai cách chính: phương pháp laser flash (flash method) đánh giá κ tổng trên mẫu dạng phiến, và steady-state method sử dụng cảm biến nhiệt độ gắn hai đầu để đo luồng nhiệt. Kết hợp cả hai cho kết quả tin cậy và phù hợp với phổ nhiệt độ rộng.

• Seebeck: ΔV/ΔT với ΔT chuẩn hóa (10–50 K).
• Four-probe: đo điện trở, tính σ từ tiết diện và chiều dài.
• Laser flash: đo time-of-flight, tính κ qua phân tán nhiệt.
• Steady-state: đo công suất nhiệt và gradient nhiệt độ cố định.

Ứng dụng công nghệ

Thiết bị phát điện nhiệt điện (TEG) được tích hợp trực tiếp lên hệ thống ống xả ô tô, thu hồi năng lượng thải ra, cải thiện tiêu thụ nhiên liệu 3–5%. Trong công nghiệp, TEG lắp đặt trên lò hơi và ống khói tận dụng nhiệt thải để cấp điện cho cảm biến và bơm.

Làm lạnh Peltier ứng dụng trong tủ mát di động, giữ nhiệt độ ổn định cho mẫu y sinh và dược phẩm. Module Peltier nhỏ gọn không ồn, không dùng gas lạnh, phù hợp thiết bị di động và viễn thông (làm mát bộ khuếch đại RF trong trạm gốc 5G).

• TEG ô tô và công nghiệp: thu hồi nhiệt thải, giảm phát thải CO₂.
• Chiller Peltier: ứng dụng y tế, viễn thông, tủ bảo quản mẫu.
• Nguồn di động: vệ tinh, trạm cảm biến, robot thám hiểm.

Thách thức và giới hạn

Vật liệu nhiệt điện hiệu suất cao thường chứa nguyên tố nặng (Bi, Te, Pb) độc hại và đắt đỏ, hạn chế sản xuất quy mô lớn. Việc tìm kiếm thay thế phi độc hại, chi phí thấp như hợp chất CNT-polymer, oxit nóng chảy thấp vẫn gặp khó vì ZT thấp và ổn định kém.

Khó khăn lớn nhất là cân bằng đồng thời S, σ và κ. Tăng σ thường kéo theo tăng κ_e, trong khi giảm κ_ph bằng cấu trúc nano đôi khi làm giảm σ do scattering electron. Thiết kế siêu cấu trúc và doping thông minh vẫn đang trong giai đoạn nghiên cứu lab.

• Nguyên tố độc hại và chi phí cao (Bi, Te, Pb).
• Cân bằng σ cao và κ thấp khó thực hiện đồng thời.
• Ổn định lâu dài ở nhiệt độ cao và môi trường khắc nghiệt.

Hướng nghiên cứu tương lai

Sản xuất vật liệu nano và siêu mạng (superlattice) tiếp tục được đầu tư, nhằm tán xạ phonon hiệu quả mà không làm gián đoạn vận chuyển electron. Công nghệ 3D printing cho phép tạo cấu trúc lattice đa cấp độ, tối ưu phân bố vật liệu và gradient nhiệt.

Ứng dụng AI và machine learning trong sàng lọc vật liệu nhanh, dựa trên cơ sở dữ liệu lớn và mô hình tính toán first-principles. Các thuật toán học sâu có thể dự đoán ZT và chỉ số cấu trúc tinh thể tối ưu từ dữ liệu tính toán trước khi tổng hợp thực nghiệm.

Phát triển vật liệu phi độc, dựa trên hợp chất organometallic và polymer composite, cung cấp hướng đi xanh, bền vững. Đồng thời, tích hợp module nhiệt điện vào hệ thống IoT và micro-grids để tự động điều chỉnh nguồn điện từ nhiệt thải, hướng tới nhà máy thông minh và thành phố xanh.

Tài liệu tham khảo

• Snyder, G. J. & Toberer, E. S. “Complex thermoelectric materials.” Nature Materials, 7, 105–114 (2008). DOI:10.1038/nmat2090
• Rowe, D. M. (ed.) Thermoelectrics Handbook: Macro to Nano. CRC Press, 2006.
• U.S. Department of Energy. “Thermoelectrics: A Critical Review.” 2021. Truy cập tại: https://www.energy.gov/eere/vehicles/thermoelectrics
• Goldsmid, H. J. “Introduction to Thermoelectricity.” Springer Series in Materials Science, 2010. DOI:10.1007/978-1-4020-9606-5
• Bell, L. E. “Cooling, Heating, Generating Power, and Recovering Waste Heat with Thermoelectric Systems.” Science, 321, 1457–1461 (2008). DOI:10.1126/science.1158899
• Venkatasubramanian, R. et al. “Thin-film thermoelectric devices with high room-temperature figures of merit.” Nature, 413, 597–602 (2001). DOI:10.1038/35098012